截至目前為止，為了理解SiC-SBD，以Si二極體為比較對象說明了特性。其中，雖然談論到SiC-SBD本身也進化為第2代並提升了性能，但第3代也陸續問世，在這裡我想彙集有關SiC-SBD的進化，就目前實際上可以取得的SiC-SBD加以整理。
在電源IC等零件中，有些結構或搭載機種容易顯現品牌，而二極體或電晶體等個別﹙獨立﹚元件﹙Discrete Devices﹚由於功能沒有差異，因此須直接比較大致共同的特性項目來選擇零件。此時，事先知道有何種變動想必亦可縮短設計時間。
SiC-SBD的進化
ROHM的SiC-SBD目前以第2代為主流，已經可以量產提供近50個機種。下圖顯示第1代到第3代的順向電壓和電流特性（VF vs IF）、以及順向電壓和湧浪電流﹙surge current﹚耐受量（VF vs IFSM）。
此外，為了理解VF的溫度特性，更進一步從數據表中篩選出圖形。左為第2代產品「SCS210AG」、右為第3代產品「SCS310AP」，兩者皆為650V/10A。第3代產品高溫時VF-IF曲線的傾斜度急劇，IF相同但VF低，可見已被改善。
目前可取得的產品陣容及預定開發產品
以下是目前可取得的第2代產品和第3代產品，兩者皆持續進行機種擴充。希望能作為大家確認個別規格等的參考。各數據表可以從
這裡
讀取。
第2代 SiC-SBD
第3代 SiC-SBD
產品介紹
