微硕半导体SGT MOSFET助力立创电子设计开源大赛

SGT这种技术改变了MOSFET内部电场的形态，将传统的三角形电场进一步的变为更为压缩的梯形电场，可以进一步减小EPI层的厚度，降低导通电阻，减小热阻。目前微硕半导体（WINSOK）新一代的低、中压的功率MOSFET，广泛地采用这种技术，如：WSD100N06GDN56、WSD40120DN56G、WSF15N10G、WSR170N04G等。