添加链接 注册    登录
link管理
链接快照平台
  • 输入网页链接，自动生成快照
  • 标签化管理网页链接
相关文章推荐
果断的青椒  ·  仙子下地狱（同人续写）免费阅读全文 - ...·  4 月前    · 
谈吐大方的楼房  ·  filter - CSS：层叠样式表 | MDN·  4 月前    · 
耍酷的墨镜  ·  python-pandapower电力系统状 ...·  4 月前    · 
怕老婆的大熊猫  ·  C++ string 类详解 - ...·  5 月前    · 
爱喝酒的楼房  ·  IHttpClientFactory ...·  5 月前    · 
link管理  ›  闪存
电脑硬盘 硬盘类型 闪存 快闪存储器
https://baike.baidu.com/item/%E9%97%AA%E5%AD%98/108500
重感情的丝瓜
1 年前
运用闪存的数码产品 闪存是一种非易失性 存储器 ，即断电数据也不会丢失。因为闪存不像 RAM （ 随机存取存储器 ）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代 RAM 。
闪存卡 （Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储 电子信息 的存储器，一般应用在 数码相机 ， 掌上电脑 ，MP3等小型 数码产品 中作为 存储介质 ，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（ SM卡 ）、Compact Flash（ CF卡 ）、 MultiMediaCard （MMC卡）、Secure Digital（ SD卡 ）、Memory Stick（ 记忆棒 ）、XD-Picture Card（XD卡）和 微硬盘 （MICRODRIVE）这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。
单片机闪存
NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的 地址线 和 数据线 ，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于 存储程序 代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如 闪存盘 、数码 存储卡 都是用NAND型闪存。这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的 直接访问 方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的 性能瓶颈 是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。
前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的 兼容性 ），它的性能特点也很像硬盘：小 数据块 操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他 存储介质 大的多。这种性能特点非常值得我们留意。
闪存存取比较快速，无噪音，散热小。 用户空间 容量 需求量 小的，打算购置的话可以不考虑太多，同样 存储空间 买闪存。如果需要容量空间大的（如500G），就买硬盘，较为便宜，也可以满足用户应用的需求。
Sandisk
【 NAND 型闪存】内存和NOR型闪存的基本 存储单元 是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的 扇区 ，硬盘的一个扇区也为512字节）。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于 数据存储 的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的 技术资料 当中看到“（512+16）Byte”的表示方式。2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是（512+16）字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到（2048+64）字节。
NAND型闪存以块（sector）为单位进行 擦除 操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页（page），容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。
每颗NAND型闪存的 I/O接口 一般是8条，每条 数据线 每次传输（512+16）bit信息，8条就是（512+16）×8bit，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存，容量1Gb，基本 数据单位 是（256+8）×16bit，还是512字节。
寻址时，NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址 信息包 ，每包传送8位地址信息。由于 闪存芯片 容量比较大，一组8位地址只够寻址256个页，显然是不够的，因此通常一次地址传送需要分若干组，占用若干个 时钟周期 。NAND的地址信息包括列地址（页面中的起始操作地址）、块地址和相应的页面地址，传送时分别分组，至少需要三次，占用三个周期。随着容量的增大，地址信息会更多，需要占用更多的时钟周期传输，因此NAND型闪存的一个重要特点就是容量越大，寻址时间越长。而且，由于传送地址 周期比 其他 存储介质 长，因此NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。
而比我们平常用的U盘 存储量 更大，速度更快的闪存产品要属PCIe闪存卡了，它采用 低功耗 ，高性能的闪存 存储芯片 ，以提高 应用程序 性能。由于它们直接插到服务器中，数据位置接近服务器的处理器，相比其它通过基于磁盘的存储 网络路径 来获取信息大大节省了时间。企业正在转向这种技术以解决存储密集型工作负载，比如 事务处理 应用。在PCIe闪存卡方面，LSI公司新的Nytro产品，扩大其基于闪存的应用加速技术到各种规模的企业。LSI推出了三款产品，到一个正变得越来越拥挤的PCIe闪存 适配器 卡市场。LSI Nytro 产品战略 中的一部分，LSI公司的WarpDrive卡上，采用 闪存存储 、LSI的SAS集成控制器和来自 公司收购 的 闪存控制器 制造商SandForce的技术。其第二代基于PCIe的应用 加速卡 容量从200GB到3.2TB不等。Nytro XD应用加速 存储解决方案 的软件和硬件的组合。它集成了WarpDrive卡与Nytro XD智能 高速缓存 软件，以提高在 存储区域网络 (SAN)和直接附加存储( DAS )实现中的I/O速度。最后，还有Nytro MegaRAID应用加速卡，它结合了Mega RAID控制器 与板载闪存和缓存软件，LSI公司将Nytro MegaRAID的定位面向低端，针对串行连接 SCSI (SAS)DAS环境的性能增强解决方案。
微软 的SQL Server 产品管理 主管Claude Lorenson，看好LSI的闪存产品在 微软服务器 环境中的未来。因为 LSI的闪存产品Nytro MegaRAID可以帮助微软SQL实现了每秒交易的10倍增长，
“闪存 存储技术 ，如LSI的Nytro应用加速 产品组合 ，可以用来加速关键业务应用，如SQL Server 2012”，Lorenson在一份公司的声明中表示“随着微软将在 Windows Server 8 中提供的增强，这些技术的重要性将继续增长。”
要讲解闪存的存储原理，还是要从 EPROM 和 EEPROM 说起。
EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式 MOS电路 ，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过 欧姆接触 分别引出 源极 S和 漏极 D。在源极和漏极之间有一个 多晶硅 栅极浮空在SiO2 绝缘层 中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如 负电荷 ），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电 沟道 ，使MOS管导通，即表示存入0。若浮空栅极 不带电 ，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。
EEPROM基本存储单元电路的工作原理如下图所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生 隧道效应 ，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为 负电压 ，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。
闪存的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦 存储器 不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。 到后来，随着 半导体技术 的改进，闪存也实现了单 晶体管 （1T）的设计，主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅，
在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅 氧化膜 绝缘体 。它的上面是在源极和漏极之间控制 传导电流 的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。
闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。
写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加 高电压 ，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜 绝缘体 ，进入浮动栅。
读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。
“优盘”是闪存走进日常生活的最明显写照，其实早在 U盘 之前，闪存已经出现在许多电子产品之中。传统的 存储数据 方式是采用 RAM 的易失存储，电池没电了数据就会丢失。采用闪存的产品，克服了这一毛病，使得 数据存储 更为可靠。除了闪存盘，闪存还被应用在计算机中的BIOS、PDA、 数码相机 、 录音笔 、手机、数字电视、游戏机等电子产品中。
追溯到1998年，优盘进入市场。接口由USB1.0发展到2.0再到最新的 USB3.0 ，速度逐渐提高。 U盘 的盛行还间接促进了 USB接口 的推广。为什么U盘这么受到人们欢迎呢？
闪存盘可用来在电脑之间交换数据。从容量上讲，闪存盘的容量从16MB到64GB可选，突破了 软驱 1.44MB的局限性。从读写速度上讲，闪存盘采用 USB 接口，读写 速度比 软盘 高许多。从稳定性上讲，闪存盘没有机械读写装置，避免了 移动硬盘 容易碰伤、跌落等原因造成的损坏。部分款式闪存盘具有加密等功能，令用户使用更具个性化。闪存盘外形小巧，更易于携带。且采用支持 热插拔 的USB接口，使用非常方便。
闪存正朝大容量、低功耗、低成本的方向发展。与传统硬盘相比，闪存的读写速度高、功耗较低，市场上已经出现了闪存硬盘，也就是SSD硬盘，该硬盘的性价比进一步提升。随着制造工艺的提高、成本的降低，闪存将更多地出现在日常生活之中。

闪存 读取性能

NAND型闪存的读取步骤分为：发送命令和寻址信息→将数据传向页面 寄存器 （随机读 稳定时间 ）→ 数据传出 （每周期8bit，需要传送512+16或2K+64次）。
K9K1G08U0M读一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+12μs+（512+16）×50ns=38.7μs；K9K1G08U0M实际读 传输率 ：512字节÷38.7μs=13.2MB/s；K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+（2K+64）×50ns=131.1μs；K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷131.1μs=15.6MB/s。因此，采用2KB页容量比512字节页容量约提高读性能20%。

闪存 写入性能

NAND型闪存的写步骤分为：发送寻址信息→将数据传向页面寄存器→发送命令信息→数据从寄存器写入页面。其中命令周期也是一个，我们下面将其和寻址周期合并，但这两个部分并非连续的。
K9K1G08U0M写一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+（512+16）×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M实际写传输率：512字节÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+（2K+64）×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M实际写传输率：2112字节/405.9μs=5MB/s。因此，采用2KB页容量比512字节页容量提高写性能两倍以上。
8gbit闪存
以往NAND型闪存的数据线一般为8条，不过从256Mb产品开始，就有16条数据线的产品出现了。但由于控制器等方面的原因，x16芯片实际应用的相对比较少，但将来数量上还是会呈 上升趋势 的。虽然x16的芯片在传送数据和地址信息时仍采用8位一组，占用的周期也不变，但传送数据时就以16位为一组，带宽增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16芯片，它每页仍为2KB，但结构为（1K+32）×16bit。
模仿上面的计算，我们得到如下。K9K4G16U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+（1K+32）×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M实际读传输率：2KB字节÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+（1K+32）×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M实际写传输率：2KB字节÷353.1μs=5.8MB/s
可以看到，相同容量的芯片，将数据线增加到16条后，读性能提高近70%，写性能也提高16%。

闪存 频率

工作频率 的影响很容易理解。NAND型闪存的工作频率在20～33 MHz ，频率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M为例时，我们假设频率为20MHz，如果我们将频率提高一倍，达到40MHz，则K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×25ns+25μs+（2K+64）×25ns=78μs。K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷78μs=26.3MB/s。可以看到，如果K9K4G08U0M的工作频率从20MHz提高到40MHz，读性能可以提高近70%！当然，上面的例子只是为了方便计算而已。在三星实际的产品线中，可工作在较高频率下的应是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的频率可达33MHz。

闪存 制造工艺

制造工艺 可以影响 晶体管 的密度，也对一些操作的时间有影响。譬如前面提到的写稳定和读稳定时间，它们在我们的计算当中占去了时间的重要部分，尤其是写入时。如果能够降低这些时间，就可以进一步提高性能。90nm的制造工艺能够改进性能吗？答案恐怕是否！实际情况是，随着 存储密度 的提高，需要的读、写稳定时间是呈现上升趋势的。前面的 计算所 举的例子中就体现了这种趋势，否则4Gb芯片的性能提升更加明显。
综合来看，大容量的NAND型闪存芯片虽然寻址、操作时间会略长，但随着页容量的提高，有效传输率还是会大一些，大容量的芯片符合市场对容量、成本和性能的需求趋势。而增加数据线和提高频率，则是提高性能的最有效途径，但由于命令、地址信息占用操作周期，以及一些固定操作时间（如信号稳定时间等）等工艺、物理因素的影响，它们不会带来同比的性能提升。
1Page=（2K+64）Bytes；1Block=（2K+64）B×64Pages=（128K+4K）Bytes；1Device=（2K+64）B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits
其中：A0～11对页内进行寻址，可以被理解为“列地址”。
A12～29对页进行寻址，可以被理解为“ 行地址 ”。为了方便，“列地址”和“行地址”分为两组传输，而不是将它们直接组合起来一个大组。因此每组在最后一个周期会有若干数据线无 信息传输 。没有利用的 数据线 保持 低电平 。NAND型闪存所谓的“行地址”和“列地址”不是我们在 DRAM 、 SRAM 中所熟悉的定义，只是一种相对方便的 表达方式 而已。为了便于理解，我们可以将上面三维的NAND型闪存芯片架构图在垂直方向做一个剖面，在这个剖面中套用二维的“行”、“列”概念就比较直观了。

闪存 发展历史

在1984年， 东芝公司 的发明人 舛冈富士雄 首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是非 易失性 （也就是所存储的数据在主机 掉电 后不会丢失），其记录速度也非常快。
Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256K bit 闪存芯片 。它如同 鞋盒 一样大小，并被内嵌于一个 录音机 里。後来，Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合 EPROM （ 可擦除可编程只读存储器 ）和 EEPROM （ 电可擦除可编程只读存储器 ）两项技术，并拥有一个 SRAM 接口。
第二种闪存称为 NAND 闪存。它由 日立公司 于1989年研制，并被认为是NOR闪存的理想替代者。NAND闪存的写 周期比 NOR闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。NAND的 存储单元 只有NOR的一半，在更小的 存储空间 中NAND获得了更好的性能。鉴于NAND出色的表现，它常常被应用于诸如CompactFlash、 SmartMedia 、 SD 、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等 存储卡 上。
2021年，第三届 中国西部国际投资贸易洽谈会 上，长江存储带来128层QLC规格的 3D NAND 闪存，是业内首款128层QLC 3D NAND 闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积 存储密度 ，最高I/O 传输速度 和最高单颗NAND 闪存芯片容量。

闪存 替代品

与许多寿命短小的信息技术相比，闪存以其多年的发展历程，充分显示了其“老前辈”的作风。九十年代初，闪存才初入市场；至2000年，利益额已突破十亿美元。 英飞凌 科技闪存部门主任， 彼得 曾说：“就闪存的 生命周期 而言，我们仍处于一个上升的阶段。”英飞凌相信，闪存的销售仍具有上升空间，并在酝酿加入对该市场的投入。英飞凌宣布，其位于 德累斯顿 的200毫米 DRAM 工厂已经开始生产512Mb NAND兼容闪存芯片。到2004年底，英飞凌公司计划采用170纳米 制造工艺 ，每月制造超过10,000片 晶圆 。而2007年，该公司更希望在NAND市场成为前三甲。
尽管对闪存 替代品 的讨论越来越激励，闪存仍然受到市场的重视。未来的替代品不仅必须是类似闪存一样的非易失性存储器，而且在速度和 写周期 上略胜一筹。此外， 生产成本 也应该相对低廉。由于制造技术还不成熟，新的替代品不会对闪存构成绝对的威胁。
如果单从 储存介质 上来说 ，闪存比硬盘好。这是指 数据传输 的速度还有抗震度来说（闪存不存在抗震）。
优点 ：
1．闪存的体积小。并不是说闪存的 集成度 就一定会高。微硬盘做的这么大一块主要原因就是微硬盘不能做的小过闪存，并不代表微硬盘的集成度就不高。
2．相对于硬盘来说闪存结构不怕震，更抗摔。硬盘最怕的就是强烈震动。虽然我们使用的时候可以很小心，但老虎也有打盹的时候，不怕一万就怕万一。
3．闪存可以提供更快的数据读取速度，硬盘则受到转速的限制。
4．闪存存储数据更加安全，原因包括：
1.其非 机械结构 ，因此移动并不会对它的读写产生影响；
2.广泛应用的机械型硬盘的使用寿命与读写次数和读写速度关系非常大，而闪存受影响不大；
3.硬盘的写入是靠磁性来写入，闪存则采用电压，数据不会因为时间而消除。
5．质量更轻。
缺点：
1、材料贵，所以单位容量更贵。
2、读写速度相对较慢。
1. 什么是 usb2.0
usb 2.0是usb技术的新版本。 传输速率 高达480mbps，是usb1.1的40倍。适合新型高速外设。它继承了usb 1.1的易用性， 即插即用 、 免安装 驱动，完全兼容usb1.1标准，您已经购买的usb1.1 设备和连接线仍然可以继续使用。
2.关于 USB 要知道：
USB1.1 的闪存盘读速一般为630KB，写速一般为520KB；USB2.0的读速一般为1.5MB，写速一般为1.0MB
usb2.0设备接在usb1.1接口上，但受usb1.1的速度限制 发挥不了USB2.0效果。
同时使用usb2.0和usb1.1设备，在os 9.x系统中使用usb2.0设备可以，但必须安装 驱动程序 ；但是这些操作系统并不支持usb2.0，该设备在这些系统中只能工作在usb1.1模式
6. 读写 闪存 盘时，是否可以运行其它 应用程序 ？
可以。
7. 闪存盘可擦写多少次？闪存盘里的数据能保存多久？
闪存盘可擦写1000000次，闪存盘里数据可保存10年
8. 一台电脑可同时接几个闪存盘？
理论上一台电脑可同时接127个闪存盘，但由于 驱动器 英文字母 的排序原因 以及现有的驱动器需占用几个英文字母，故闪存盘最多只可以接23个（除开 A、B、C) 且需要 USB HUB 的协助。
9. 闪存盘在 DOS 状态下能否使用
闪存盘支持WINDOWS虚拟DOS方式（启动Windows后在附件中进入）。
10. 闪存盘支持WINDOWS 95吗
闪存盘不支持WINDOWS 95操作系统，建议用户升级操作系统至WINDOWS98或以上版本。
11. WINDOWS NT4.0下闪存盘如何使用
12. 闪存盘可以在什么驱动程序下使用？
A9 Windows98、 Windows ME 、 Windows 2000 、 Windows XP 、 Windows7 、Windows8、Windows8.1、MAC OS、 Linux 。
13. 闪存盘是否需要驱动程序？
在 Mac OS 、Windows 2000以上版本上不需要，在Win 98上需要驱动程序
14. 闪存盘可以在 Windows 98 / Windows 2000 / Mac OS下被格式化吗
可以。
15. 闪存盘的内容能否加密？
可以。
16. 闪存盘在局域网里是否可以共享？
可以。
17. 闪存盘可以存储哪些类型的数据？
所有电脑 数据都 可以存储，包括文件、程序、图象、音乐、多媒体等。
18. 安装闪存盘时是否需要关闭电脑？
不需要，闪存盘是即插即用型产品，可以进行插拔。
19. 闪存盘可以防水吗？
闪存盘是电子类产品，掉入水中后可能会造成闪存盘内部短路而损坏。
20. 插拔闪存盘时，有哪些注意事项
当闪存盘 指示灯 快闪时，即电脑在读写闪存盘状态下，不要拔下闪存盘；当插入闪存盘后，最好不要立即拔出。特别是不要反复快速插拔，因为操作系统需要一定的 反应时间 ，中间的间隔最好在5秒以上。
21. 闪存盘是否会感染病毒？
闪存盘像所有硬盘一样可能感染病毒
22. 闪存盘用于桌面电脑时，并且USB接口在电脑的后面时，有什么办法使之更方便？
通过一条USB转接电缆（具有 A-Type Plug and A-Type Receptacle）与电脑连接
23. 存盘的 LED灯 显示表示什么含义？
当 LED 灯亮的时候，它表示闪存盘连接成功暂时没有 数据传输 。当LED闪烁的时候，它表示闪存盘正在数据 传输过程 中。
24. 当闪存盘的LED还在闪时，是否可以拔出闪存盘？
不可以。会使闪存盘的数据丢失或使 FAT表 破坏且出现 蓝屏 。当操作系统读闪存盘时它会使电脑出现蓝屏。
25. 闪存盘上的文件出现 乱码 或文件打不开
使用闪存盘 专用工具 做格式化
26. 双击闪存盘盘符时，电脑提示闪存盘需格式化
当闪存盘 分区表 遭到破坏或是闪存盘性能不稳定时，会出现上述现象。出现这种问题，一般可以使用闪存盘专用工具做格式化
27. 闪存盘 写保护 不起作用，在写保护 关锁 状态，数据也能够顺利写入。
28. 切换闪存写保护开关，需要在断开与电脑的联接的状态下进行。如果是在与电脑联接状态下切换了写保护开关，需要重新插拔一次闪存，才能切实使切换起作用。
磁荷 随机存储器
两家公司都认为， MRAM 不仅将是闪存的理想替代品，也是DRAM与SRAM的强有力 竞争者 。今年六月，英飞凌已将自己的第一款产品投放市场。与此同时，Freescale也正在加紧研发，力争推出4M bit芯片。
但是，一些评论者担心MRAM是否能达到闪存存储单元的尺寸。根据英飞凌的报告，闪存存储单元的尺寸为0.1µm²，而16M bit MRAM芯片仅达到1.42 µm²。另外，MRAM的生产成本也是个不小的问题。
OUM
OUM(Ovonic Unified Memory Ovonyx标准化内存）
OUM是由Intel研发的，利用Ge、Sb与 Te 等化合物为材料制成的薄膜。OUM。OUM的写、删除和读的功能与 CD-RW 与 DVD-RW 相似。但CD/DVD使用激光来加热和改变称为硫系化合物（chalcogenides）的材料；而OUM则通过 电晶体 控制电源 ，使其产生相变方式来储存资料。
OUM的擦写次数为10的12次方，100次数据访问 时间平均 为200纳秒。OUM的速度比闪存要快。尽管OUM比MRAM的数据访问时间要慢，但是低廉的成本却是OUM的致胜法宝。
与MRAM不同，OUM的发展仍处于初期。尽管已制成测试芯片，它们仅仅能用来确认概念而不是说明该技术的可行性。Intel在过去四年一直致力于OUM的研发，并正在努力扩大该市场。
 
推荐文章
果断的青椒  ·  仙子下地狱（同人续写）免费阅读全文 - 仙子下地狱（同人续写）小说全文完整版 - 爬爬书库
4 月前
谈吐大方的楼房  ·  filter - CSS：层叠样式表 | MDN
4 月前
耍酷的墨镜  ·  python-pandapower电力系统状态估计（算例1：讲解以及基本算例实现）_pandapower中的状态估计wls原理python-CSDN博客
4 月前
怕老婆的大熊猫  ·  C++ string 类详解 - tongye - 博客园
5 月前
爱喝酒的楼房  ·  IHttpClientFactory Missing a "using" from source code · Issue #176 · OkGoDoIt/OpenAI-API-dotnet · Gi
5 月前
Link管理   ·   51好读   ·   Sov5搜索   ·   小百科
link管理 - 链接快照平台