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前言： 多年前，网上出现一组介绍集成电路(芯片)制造的漫画，而且有英文版。无论从专业角度还是漫画角度看，笔者认为漫画画的很棒！可惜网上漫画清晰度不高。笔者对这些漫画进行了清晰化，并配上了通俗的说明文字和示意图，整理成此文，试图以漫画为主、示意图和文字为辅，对芯片制造过程进行讲解。重点介绍在芯片上 集成 上百亿只 电路 元件的“ 十八般武功” ，力求形象生动和便于理解。网上引用这组漫画的文章都未标出漫画原创作者，若读者有相关信息，请不吝赐教。笔者核实后，将在文中列出漫画原创作者。（丽娟网友：漫画来源于SEAJ、东芝等）

小小芯片把人类带进信息化智能化世界，芯片和软件构成了信息化社会这座高楼大厦的基础。如果您对芯片还比较陌生，但近两年来，您已经知道了芯片超级重要后，一定想多了解一些芯片知识。下文将用漫画、示意图和说明等形式，通俗直观地对芯片及其制造过程进行介绍。

示意图1 带您认识一下用于制造芯片的 硅片 (晶圆)，实现 芯片 功能的最小单元—— 晶体管 ，以及硅片、芯片和晶体管三者的关系。图中麒麟990是华为先进的5G智能手机芯片，采用7nm工艺制造，面积仅为113平方毫米(约1厘米见方，小手指甲大小)，上面却集成了约103亿只晶体管。一只晶体管的三维(3D)结构如右上图所示。芯片制造厂采用的12英寸硅片的面积为70659平方毫米，用它大约可以生产600颗麒麟990芯片。

示意图2 左图是一张 芯片布图 (Layout)的局部，把它放大后，在其中找到了一个晶体管的布图，如红方框区域所示。一个晶体管在芯片中仅占头发丝横切面百分之一不到的面积，但它却是由复杂的电路结构组成。 晶体管从分布上看是平面的，但从横切面上看是立体的， 晶体管三维立体结构如上右图所示。芯片制造完成后，晶体管会“依托”硅片并“扎根”于硅片，上百亿只晶体管由纵横而不交错的金属线条连接起来，实现了芯片的功能。

如何在小手指甲大小的硅片上集成上百亿只晶体管等电路？在芯片制造时都用到了哪些高精尖的技术？下面就让机器人 小宝 带您走进芯片制造的微观世界，看看 集成电路制造 的神奇。

芯片细微无法言表，漫画粗旷只能示意。

一、芯片制造过程概述

芯片制造过程大致分为四个阶段。下图中，1-2的工序是 芯片设计流程 ，3-4-5-6的工序是 硅片制造流程 ，7-8-9-10-11的工序是在硅片上制造电路元件的 电路制造流程 ，12-13的工序是 收尾流程 。其中，硅片制造流程实际是芯片原材料加工过程，一般是在另外的专业工厂中完成。所以，硅片制造可以不包括在芯片制造过程中。本文为了让读者对芯片制造有全局了解，特把硅片制造也包含在芯片制造过程中。

（注：此漫画及后文所有漫画皆来源于网络文章，并经过了笔者加工整理。）

（一）芯片设计流程

芯片设计流程 中包括了电路设计和光刻掩膜版制作。 电路设计 就是通常所说的集成电路设计(芯片设计)，它是芯片产业链(设计、制造、封装、测试和应用)的首要环节，电路设计的结果是 芯片布图 (Layout)。 光刻掩膜版制作 是把芯片布图拆分成几十层～上百层用于制造芯片的图纸，并把每层图纸制作成 光刻掩膜版 (Mask)，它们将在芯片制造过程中使用。假设一个芯片布图拆分为n层光刻掩膜版，硅片上的 电路制造流程 各项工序就要循环n次。

1. 电路设计 ： 这是晶体管等电路元件摆放、连线和模拟的“设计功”。 设计人员要在图形工作站上，利用EDA软件，把上百亿只晶体管等电路元件合理 摆放 (Place)在设计区域，上下左右、纵横而不交错地准确 连接 (Route)起来，从而实现预想的电路功能。并且芯片布图在送去制造之前，要反复进行精确地电路功能 模拟 (Simulation)，以保证芯片设计万无一失。

示意图3 是Intel公司2000年发布的奔腾P4 CPU的芯片布图，该芯片采用180nm的工艺制造，其上集成了4200万只晶体管，该芯片是台式计算机的CPU。20年后的今天， 华为手机CPU芯片麒麟990采用7nm工艺制造，集成了103亿只晶体管，规模是Intel P4的245倍，并且速度更快。 现在智能手机的处理能力比二十年前的台式计算机要强很多倍，芯片技术的快速发展功不可没。

2. 光刻掩膜版制作 ： 这是把芯片布图拆分成光刻掩膜版的“分层功”。 这个工序是芯片制造前的准备工作，分层就是按照芯片制造的工艺要求，把芯片布图拆分成多达几十层的光刻掩膜图形，并制成一层层的光刻掩膜版。传统光刻掩膜版是在很薄很平整的石英玻璃上沉积一层厚约150nm的铬膜，并按光刻图形做出透光与不透光的图形。

示意图4 是一个晶体管(示意图2所示)的一套光刻掩膜版图， 如果芯片上集成上百亿只晶体管的话，光刻掩膜版上图形数量将是它一百多亿倍，复杂程度可想而知。 光刻掩膜版类似于传统照相底版，它上面的图形只有透光和不透光的分区，并精细的多。而照相底版有半透光的过渡性区域，而且精度无法和光刻掩膜版相提并论。

（二）硅片制造流程

硅片制造流程包括了 单晶硅棒拉制 、 硅棒切片 、 硅片研磨 和 硅片氧化 共4个工序。硅片也叫晶圆，硅片制造也叫做硅晶圆制造。硅片制造一般是在另外的专业工厂完成，然后以原材料产品形式出售给芯片制造厂。硅片典型直径尺寸有4英寸(100mm)、6英寸(150mm)、8英寸(200mm)和12英寸(300mm)。

3. 单晶硅棒拉制 ： 多晶硅到单晶硅的“单晶生长功”。 根据晶核排列是否同向，硅材料可分为单晶硅和多晶硅，半导体行业使用单晶硅，而且纯度要求为99.999999999%以上(业内简称 11N)。 单晶硅棒拉制 就是在多晶硅溶液中放入籽晶棒，在熔体温度、提拉速度、籽晶/石英坩埚的旋转速度等合适的条件下，随着籽晶棒边转动边缓缓地拉升，溶液中的晶核沿籽晶同向生长，一个以籽晶棒为中心的单晶硅棒就拉制出了。硅棒直径与条件控制和提拉速度有关。

4. 硅棒切片 ： 硬碰硬地切片，要有切得很薄的“刀功”。 这道工序是把硅棒切割成硅片。由于硅棒直径和应用不同，硅棒切片的厚度也有差别。半导体用的硅片的切片厚度在450μm～750μm范围，太薄易脆裂不适合芯片制造。但太阳能用的硅片却是越薄越好，切片厚度仅为200μm左右(约2根头发丝的厚度)，切割缝隙在120μm左右。由于硅棒非常坚硬，又要切的很薄，很考验设备的“刀功”。常见的硅棒切片方法为金刚线切割法和砂线切割法。

5. 硅片研磨 ： 一丝不苟的“磨平功”。 成语中的“丝”如果是指头发丝的话，我这句话还应改为“万分之一丝不苟的‘磨平功’”。因为，半导体用的大硅片表面局部平整度(SFQD)要求小于设计线宽的2/3，如果大硅片用来制造14nm工艺的芯片，SFQD要求控制在10nm以内，即头发丝的万分之一。若选用7nm工艺，SFQD应小于5nm，硅片平整度要求更高。这道工序对研磨剂和研磨机都提出了很高的技术要求。

6. 硅片氧化 ： 让半导体不导电的“绝缘功”。 半导体硅片可以经过加工变成导体，也可以经过加工变成绝缘体。这道工序是在硅片上生成一层很薄的氧化膜，使硅片表面成为绝缘体，为其后在硅片上制作电路元件做准备。氧化膜的成份是SiO2,具有良好的化学稳定性和电绝缘性，可用于晶体管栅极氧化膜、电绝缘层、电容器介质和屏蔽层等。硅片氧化工序还将在电路制造流程中多次应用，如果先做光刻再做氧化，将会在指定区域生成氧化膜，形成局部的绝缘保护。

（三）电路制造流程

准备好了硅片和光刻掩膜版，芯片制造就进入到了硅片表面电路制造的流程。该流程中包括了 光刻胶涂布 、 硅片表面上图形形成 、 刻蚀 、 氧化 、 扩散 、 CVD 、 粒子注入 和 平坦化 等工序。电路制造流程是一个循环流程，芯片成套的光刻掩膜版有多少层，这个流程就要循环多少次。每层光刻掩膜版表达的图形内容不同，流程中的个别工序也有可能被跳过。

7. 光刻胶涂布 ： 在硅片上涂布光刻胶要有很好的“均匀功”。 一般旋转涂布光刻胶的厚度与光刻机曝光的光源波长有关(不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率)。厚度一般在200nm～500nm的范围。光刻胶是芯片制造的重要原材料，2019年7月日本为了抗议韩国法院对“韩国劳工”裁决，就用了光刻胶等原材料卡韩国的“脖子”，使韩国芯片产业一度困难。

示意图5 是一小块硅片上的硅片基底、氧化膜和感光胶的三层结构示意图。

8. 硅片表面图形形成 ： 像传统照片洗印一样的“精准曝光功和洗印功”。 这道工序用来把光刻掩膜版上的图形投影到已涂布好的光刻胶上，进行精准曝光。这项工作由大名鼎鼎的 光刻机 来完成。在曝光之后，接下来要除去感光了的光刻胶，留下了未感光的光刻胶(假定使用了正性感光胶)。光刻掩膜版上的电路图形就精确地以光刻胶图形“做”在硅片的氧化膜上了。

示意图6 是光刻工艺中的曝光(上图)和除胶(下图)工序示意图，等同于传统照相过程中的曝光和洗印。感光胶有正负之分，感光的正性感光胶在显影除胶工序中被除去，保留了未被感光的部分。负性感光胶相反，未被感光的部分被除去，保留了被感光的部分。

9. 刻蚀 ： 对光刻胶图形下的氧化膜进行“精准雕刻”。 这道工序用来把光刻胶覆盖的氧化膜保留，其它部分去掉。然后再把其余的光刻胶去除。这时，光刻掩膜版上的电路图形就精确地以氧化膜形式“做”在了硅片上。这项工作由 刻蚀机 来完成。工序7、8、9组成了芯片制造流程中最重要的 光刻工艺 (也称为 平面加工工艺 )。

示意图7 是把晶体管的第一张光刻掩膜版(示意图4)上的电路图形制作在氧化膜上的示意。同理，电路图形也可以制作在栅极多晶硅膜、绝缘钝化膜、蒸铝连线层上等。

10. 氧化、扩散、CVD和粒子注入 ： 这是在硅片上“分区精加工的硬功”。 使用上述工序7、8、9的光刻工艺后，就可以在芯片的上指定区域进行多种 精加工 。 氧化 是在指定区域生成氧化膜； 扩散 是对指定区域定量掺入其它元素原子，改变该区域的电性能； CVD 是在指定区域沉积一层氧化硅、碳 化硅、多晶硅等半导体材料层； 离子注入 是向指定区域定量注入杂质的原子或粒子，使该区域的电性能发生变化。

示意图8 是制作晶体管的P型衬底(示意图2绿色区)的示意图。前道的光刻工艺在氧化膜上开了一个离子注入窗口，在这道 精加工 的工序中进行离子注入，使窗口下的硅片变为P型衬底。

11. 平坦化 ： 电路图形表面“精确磨平功”。 在硅片上做了几层电路图形的“光刻”和“加工”循环(工序7、8、9、10)以后，有些地方刻蚀下去，有些地方生长上来，电路图形表面已变得凹凸不平。为了进行下一层的“光刻”和“加工”循环流程，首先要对电路图形表面进行平坦化。平坦化打磨要十分精确，打磨太深会损坏已做好的电路图形，打磨太浅电路图形表面依然不够平整。 平坦化工序完成后，跳回到工序7的光刻胶涂布，按照下一张光刻掩版开始下一循环的“光刻”和“精加工”过程。

示意图9 是高倍电子显微镜下看到的凹凸不平下层电路图形。

（四）收尾流程

收尾流程 中包括了电极形成和硅片检查两道工序，这是芯片制造最后的收尾工序，之后就可以进行芯片封装了。

12. 电极形成 ： 金属材料蒸发和淀积的“金属化功”。 在电路制造循环完成之后，还要完成一层晶体管等电路元件表层的铝金属连线，并要把芯片引出电信号的连接电极做好。把铝、铜等金属蒸发成气体，传送到芯片表面，并淀积生成一层金属薄膜叫做金属化工艺，金属化是一项难度很大的技术功夫。

13. 硅片检查 ： 从批量芯片中找出不良芯片的“火眼金睛功”。 在芯片封装之前，要对硅片上成百上千的芯片进行检查，标记出不良的芯片，以便在后续的芯片封装时弃之不用。

二、芯片封装流程概述

芯片封装流程包括了硅片切割、芯片置放、引线键合、塑封模压、切筋成型、劣化试验、产品检验、激光打标八个工序，如下图所示。该封装流程封装的芯片都是四边引线的塑料封装(包括DIP、SOP、QFP、PQFP、LCC、PLCC等)，这是传统的二维(2D)封装形式，本文对其中的每道工序不做详细介绍。

（注：此漫画来源于网络文章， 并经过了笔者加工整理。）

示意图10 是目前芯片封装形式的全景图。分割线左侧是传统的2D塑料封装形式，右侧是更先进的新型封装形式，包括：以阵列引脚封装(PGA)、球栅阵列封装(BGA)、触点阵列封装(LGA)等为代表的球阵封装；晶圆级封装(WLP)；系统级封装(SIP)；堆叠封装(PoP)；多芯片组封装(MCP)和芯片级封装(CSP)等。其中除了球阵封装外，其它都属于系统级或者三维(3D)先进封装。而且随着技术进步，新型封装技术将不断推陈出新，以满足各种新的应用需求。

（注：此图片来源于网络：今日半导体，并经过了笔者加工整理。）

结语： 芯片设计和硅片生产是芯片制造的前期准备,电路制造有三个重点内容要了解， 一是 硅片上的电路是按光刻掩膜版的顺序，一层层用光刻平面工艺循环加工而成，芯片上的电路元件是立体的。 二是 光刻工艺有4个步骤：涂胶、曝光、除胶、刻蚀，光刻是芯片技术的核心。 三是 每一循环加工都是由光刻和加工两个阶段组成，光刻指定了后续加工的范围、区域和窗口，后续加工是对硅片上材料真正的处理过程，包括氧化、扩散、CVD、离子注入、钝化等处理。

在芯片制造过程中，芯片设计阶段用到了电路元件摆放、连线和功能模拟的“设计功”、把芯片布图拆分成光刻掩膜版的“分层功”；硅片生产阶段用到了“单晶生长功”、“硅棒切片功”、“硅片磨平功”和“半导体绝缘功”；在电路制造阶段用到了光刻的“精准定位功”和“精细加工功”；在芯片封装阶段也有各种各样的真功夫。芯片制造中的真功夫是芯片高技术含量的具体体现。用漫画把这些真功夫都一一表达出来，其实是一件很难的事情。在此，笔者向文中所引用漫画原创作者致敬。

－ The End －

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